10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究

摘要

本誌では、様々な種額のスタンダードセルで構成されたリングオシレータ(RO)を測定することにより、ロジック回路におけるバイアス温度不安定性(BTI)のローカルレイアウト形状効果(LLE)の影響を解析する手法を提案し、10nm FinFETプロセスにおける測定結果を示す[6]。BTIによる遅延劣化の測定結果は、BTIのLLEを考慮することなく推定された遅延劣化とよい相関を示し、その最大誤差は-16%から+13%である。またBTIの回復効果におけるLLEの評価においても明白なスタンダードセル種の依存性は見られなかった。これら解析は、高信頼性を要求されるアプリケーションにおいて、ロジック回路のBTIガードバンドをより正確に設計に反映するためのガイドラインとして有用である。