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具有多电平的相变随机存取存储器器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种相变随机存取存储器器件及其制造方法。所述相变随机存取存储器器件包括加热电极,所述加热电极具有以台阶状突出的上表面;相变材料层,所述相变材料层形成在加热电极上的相变空间中,所述相变材料层具有多个部分,所述多个部分具有与台阶状的加热电极相对应的厚度。

著录项

  • 公开/公告号CN103325938B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;

    申请/专利号CN201210395267.6

  • 发明设计人 孙敏硕;

    申请日2012-10-17

  • 分类号

  • 代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周晓雨

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-30

    授权

    授权

  • 2014-12-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20121017

    实质审查的生效

  • 2013-09-25

    公开

    公开

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