机译:Ge_2Sb_2Te_5层被隔热Ta_2O_5势垒层隔开的多层相变存储器件
机译:TiW势垒层厚度依赖性过渡从基于ZrO_2的电阻切换随机存取存储器件中的电化学金属化存储过渡到价变化存储的影响
机译:接触电阻对相变随机存取存储器(PCRAM)中存储窗口的影响
机译:高性能相变随机存取存储器(PCRAM)原子层沉积生长的SnSbSe(SSS)薄膜的特性
机译:层状硫属化物相变存储器件。
机译:电极材料对用于相变随机存取存储器的原子层沉积生长的GeTe结晶的影响
机译:相变随机存取存储器(PCRAM)线单元的纳米结构-性质关系