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用在先进纳米闪速存储器装置中的改进的晶体管设计

摘要

公开了用在先进纳米闪速存储器装置中的针对感测电路的改进的PMOS和NMOS晶体管设计。

著录项

  • 公开/公告号CN104969297B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅存储技术公司;

    申请/专利号CN201480007677.6

  • 发明设计人 H.Q.阮;H.V.特兰;A.利;T.吴;

    申请日2014-01-15

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人申屠伟进

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-12

    授权

    授权

  • 2015-11-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/28 申请日:20140115

    实质审查的生效

  • 2015-10-07

    公开

    公开

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