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机译：先进的纳米闪存设备中使用的改进晶体管设计
公开/公告号JP6452771B2
专利类型
公开/公告日2019-01-16
原文格式PDF
申请/专利权人 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド;
申请/专利号JP20170157137
发明设计人 グエン フン クオック;トラン ヒュー ヴァン;リ アイン;ヴー トゥアン;
申请日2017-08-16
分类号G11C16/24;G11C7/12;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 12:18:52
机译： 改进的晶体管设计，可用于高级纳米闪存器件
