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含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法

摘要

一种具有耗尽型工作模式或反型工作模式的有机半导体场效应晶体管,包括衬底(1),在衬底(1)上形成栅电极(2),在衬底(1)和栅电极(2)上形成栅绝缘层(3),在栅绝缘层(3)上形成第一半导体层(4),在第一半导体层(4)上形成源/漏电级(5),在第一半导体层(4)和源/漏电极栅(5)上形成第二半导体层(6)。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 51/40 登记生效日:20180731 变更前: 变更后: 申请日:20030130

    专利申请权、专利权的转移

  • 2006-10-25

    授权

    授权

  • 2006-10-25

    授权

    授权

  • 2003-10-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-16

    公开

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  • 2003-07-16

    公开

    公开

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