用于镶嵌式垂直磁记录(PMR)写入装置的双图案化硬掩膜

摘要

本发明涉及用于镶嵌式垂直磁记录(PMR)写入装置的双图案化硬掩膜。本主题公开内容的各种实施例提供双图案化工艺，该工艺使用两个图案化步骤来生产具有带尖锐拐角的鼻形状的写入结构。在一个实施例中，提供一种在包括衬底和位于衬底上的绝缘层的多层结构上形成写入结构的方法。所述方法包括在绝缘层上方形成硬掩膜层，实施第一图案化工艺在硬掩膜层中形成杆轭形开口，实施第二图案化工艺移除硬掩膜层内的杆轭形开口的圆拐角，移除对应于硬掩膜层内的杆轭形开口的一部分绝缘层，以在绝缘层内形成沟槽，然后使用磁性材料填充所述沟槽。