栅极先制的高介电常数金属栅极方法所形成的全硅化栅极

摘要

本发明涉及栅极先制的高介电常数金属栅极方法所形成的全硅化栅极，当形成场效晶体管时，一个常见的问题是在栅极电极中的金属薄膜和形成在其上的半导体材料(通常是多晶硅)之间的接口处形成的萧特基障壁(Schottky barrier)。本领域中所习知的全硅化栅极可克服这个问题。然而，该源极和漏极区域以及该栅极电极的硅化通常是同时实行，从而阻碍全硅化栅极的形成。本发明所请求的方法提出了二个连续的硅化工艺，他们相对于彼此地分离(decoupled)。在第一硅化工艺中，形成金属硅化物来形成和源极和漏极区域的接口而不影响该栅极电极。在第二硅化工艺中，形成具有和该栅极电极的接口的金属硅化物层而不影响该晶体管的源极和漏极区域。