公开/公告号CN1260402C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-06-21
原文格式PDF
申请/专利号CN03109067.2
申请日2003-04-03
分类号C30B13/12(20060101);C30B31/20(20060101);
代理机构12108 天津才智专利商标代理有限公司;
代理人杜文茹
地址 300161 天津市河东区张贵庄路152号
入库时间 2022-08-23 08:58:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-06-21
授权
授权
2003-11-12
公开
公开
机译: 一种通过中子辐照制备n型电导和掺杂剂浓度可调节的均匀掺杂的硅单晶的方法
机译: 用于将两种掺杂剂同时注入到不同位置的半导体熔体中的掺杂设备以及使用该掺杂设备制造硅单晶的方法
机译: 用于半导体器件的穿通趋势减小方法,包括形成与另一掺杂区相邻的掺杂区,该掺杂区例如具有掺杂剂。锑,其中掺杂区彼此电隔离