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庞炳远;
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;
区熔; 硅单晶; 掺杂;
机译:来自熔体的硅单晶生长:掺杂剂对V / G标准的影响
机译:退火对无坩埚区熔化生长的氮掺杂硅单晶电性能的影响
机译:氧分压对浮区技术生长的硅单晶的影响:表面氧化和Marangoni流
机译:用Czochralski技术在磁硅单晶生长期间零高斯平面位置对晶体熔体界面氧浓度的影响
机译:通过液体封装熔体区(LEMZ)技术表征在微重力条件下生长的锑化镓晶体。
机译:熔盐辅助化学气相沉积工艺用于单层MOS2的替代掺杂有效改变电子结构和声子特性
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响
机译:南美洲天气气象观测(ssmO)和西海岸选定岛屿沿海海洋区域概述。第4卷。第25区 - 麦哲伦海峡西部,26区 - 佩纳斯湾,27区 - 瓦尔迪维亚,28区 - 瓦尔帕莱索,29区 - 科金博,30区 - 安托法加斯塔。
机译:用于将两种掺杂剂同时注入到不同位置的半导体熔体中的掺杂设备以及使用该掺杂设备制造硅单晶的方法
机译:硅单晶上拉装置,用于从熔体中拉出掺杂的硅单晶
机译:从熔体中拉出的掺杂硅单晶-在加入掺杂剂之前,纯硅在拉拔柜中熔化
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