MOS晶体管源漏形成方法

摘要

本发明提供了一种MOS晶体管源漏形成方法，包括：在形成有栅极结构的硅片中，在栅极结构两侧分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在栅极结构两侧形成栅极侧壁；在形成栅极侧壁的栅极结构两侧的硅片中分别形成源极区域和漏极区域；在栅极结构所在的层，在硅片上形成阻挡层；此后，去除栅极结构两侧的侧壁，从而在栅极结构和阻挡层之间留下凹槽结构；利用栅极结构和阻挡层作为掩膜，对硅片进行离子注入，从而在硅片表面形成新源极轻掺杂区和新漏极轻掺杂区；在栅极结构和阻挡层之间留下凹槽结构中填充介质。