具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的集成结构

摘要

本发明公开了一种基于屏蔽栅的沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的集成结构，形成于硅衬底上且沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。沟槽栅MOSFET采用具有屏蔽栅的双栅结构，在肖特基二极管的形成区域形成有和沟槽栅相同的沟槽结构，通过正面金属层填充到沟槽的顶部来在沟槽侧面形成肖特基接触，正面金属层同时也和沟槽外的硅外延层形成肖特基接触，沟槽侧面和沟槽外的肖特基接触的结构能够大大增加肖特基接触的面积，能大大减少肖特基二极管的形成区域所占芯片的面积。同时本发明的肖特基二极管和采用沟槽接触孔的源极接触孔无关，故肖特基二极管的性能不受沟槽接触孔的影响，工艺相对简单且容易控制。