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肖特基二顿管; DirectFET; MOSFET; 同步开关芯片组; IR公司;
机译:芯片组控制缩短了降低MOSFET故障风险的时间
机译:肖特基势垒二极管壁集成沟槽MOSFET的4H-SiC m面{1(1)over-bar00}上的肖特基势垒高度的评估
机译:温度和开关速率对碳化硅肖特基势垒二极管和MOSFET动态特性的影响
机译:具有单片集成肖特基势垒二极管的SiC功率MOSFET,可改善开关性能
机译:光电电池具有带有光电二极管区域和模拟检测区域的芯片组件,当控制开关分别将芯片组件转换为反射模式和接近操作模式时,这些芯片组件将启用
机译:集成有barrier肖特基二极管的MOSFET单元阵列的集成器件
机译:具有自控调节器的整流器具有带集成反向二极管的MOSFET,并且芯片安装在MOSFET和芯片上控制技术的控制单元上
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