声明
第一章 绪论
1.1 概述
1.1.1 功率MOSFET发展进程
1.1.2 Trench MOSFET研究现状
1.2 功率MOSFET体二极管
1.2.1 体二极管的原理
1.2.2 优化MOSFET体二极管的意义
1.3 现有肖特基二极管与Trench MOSFET集成方案
1.3.1分阵列集成
1.3.2集成沟槽式肖特基二极管的平面接触Trench MOSFET
1.3.3集成沟槽式肖特基二极管的沟槽式接触Trench MOSFET
1.4 主要内容与设计指标
1.4.1 主要内容
1.4.2 设计指标
1.5 论文章节安排
第二章 器件的相关原理与参数
2.1 Trench MOSFET的相关原理
2.2 Trench MOSFET的主要参数
2.2.1 击穿电压（BV）
2.2.2 饱和电流（Isat）
2.2.3 导通电阻（Rdson）
2.2.4 阈值电压（Vth）
2.3 肖特基二极管的器件原理
2.4 肖特基二极管的主要参数
2.4.1 击穿电压（BV）
2.4.2 反向恢复电荷Qrr，反向恢复时间trr
2.5 本章小结
第三章集成肖特基二极管的30VTrench MOSFET元胞设计
3.1 器件元胞参数设计
3.1.1 EPI层厚度与电阻率的设计
3.1.2 P-BODY区的设计
3.1.3 栅氧化层厚度的设计
3.1.4 Trench宽度的设计
3.1.5 Trench深度的设计
3.1.6 Trench间宽度的设计
3.1.7源极 N+区的设计
3.1.8 金属接触沟槽的设计
3.2 器件元胞结构参数优化
3.2.1 EPI层电阻率与厚度
3.2.2 P-BODY区注入剂量与结深
3.2.3 栅氧层厚度
3.2.4 Trench宽度
3.2.5 Trench深度
3.2.6 Trench间宽度
3.2.7 N+区注入剂量与结深
3.2.8 金属接触沟槽深度
3.2.9最终优化参数与总结
3.3 器件元胞结构的仿真
3.3.1 器件耐压与阈值电压
3.3.2 器件导通电阻
3.3.3 器件反向恢复特性
3.3.4 仿真结果小结
3.4 本章小结
第四章集成肖特基二极管的30VTrench MOSFET版图及工艺设计
4.1 器件版图设计
4.1.1 单元胞形状以及排列方式
4.1.2 栅压焊点与栅通道
4.1.3 器件版图
4.2 器件工艺流程设计
4.2.1 工艺简要流程
4.2.2 详细流程
4.3 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 总结
5.2 展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的论文
