首页> 外文OA文献 >SiC trench MOSFET with integrated side-wall Schottky barrier diode having P+ electric field shield

【2h】

SiC trench MOSFET with integrated side-wall Schottky barrier diode having P+ electric field shield

机译：具有集成侧壁肖特基势垒二极管的SIC沟槽MOSFET，具有P ^{+ 电场屏蔽}

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Bo Yi; Hao Hu; Jia Lin; Junji Cheng; Haimeng Huang; MouFu Kong;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. SiC trench MOSFET with integrated side-wall Schottky barrier diode having P+ electric field shield [J] . Bo Yi, Hao Hu, Jia Lin, IEICE Electronics Express . 2019,第5期

机译：具有集成侧壁肖特基势垒二极管的SiC沟槽MOSFET，具有P +电场屏蔽
2. Evaluation of Schottky barrier height on 4H-SiC m-face {1(1)over-bar00} for Schottky barrier diode wall integrated trench MOSFET [J] . Kobayashi Yusuke, Ishimori Hiroshi, Kinoshita Akimasa, Japanese journal of applied physics . 2017,第4S期

机译：肖特基势垒二极管壁集成沟槽MOSFET的4H-SiC m面{1（1）over-bar00}上的肖特基势垒高度的评估
3. A low loss single-channel SiC trench MOSFET with integrated trench MOS barrier Schottky diode [J] . Yi Bo, Wu Zheng, Zhang Qian, Semiconductor science and technology . 2021,第7期

机译：具有集成沟通MOS屏障肖特基二极管的低损耗单通道SIC沟MOSFET
4. Low leakage current and high unipolar current density in a 4H-SiC trench gate MOSFET with integrated Schottky barrier diode [C] . Lixin Tian, Fei Yang, Zhanwei Shen, China International Forum on Solid State Lighting;International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China . 2020

机译：具有集成肖特基势垒二极管的4H-SIC沟槽栅极MOSFET中的低漏电流和高单极电流密度
5. Design and fabrication of Schottky barrier diodes on SiC. [D] . Saxena, Vivek. 1998

机译：SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。
6. Schottky barrier SOI-MOSFETs with high-k La2O3/ZrO2 gate dielectrics [O] . C. Henkel, S. Abermann, O. Bethge, -1

机译：具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
7. Iron loss evaluation of magnetic materials excited by a SiC inverter with a Schottky barrier diode wall-integrated trench MOSFET [O] . Atsushi Yao, Fumiki Kato, Hiroshi Hozoji, 2020

机译：SiC逆变器用肖特基势垒二极管壁 - 集成沟MOSFET激发的磁性材料的铁损评估

SiC trench MOSFET with integrated side-wall Schottky barrier diode having P+ electric field shield

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅