公开/公告号CN102314946B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 海力士半导体有限公司;
申请/专利号CN201110049297.7
申请日2011-03-01
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人侯广
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:58:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-28
授权
授权
2013-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/06 申请日:20110301
实质审查的生效
2013-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/06 申请日:20110301
实质审查的生效
2012-01-11
公开
公开
2012-01-11
公开
公开
机译: 非易失性半导体存储器件具有一个高压开关电路,以在向位线施加电压时将另一个开关电路与第三开关电路隔离
机译: 包括高压开关电路的非易失性存储器件和非易失性存储器件的操作方法
机译: 在所选择的存储器块和非易失性存储器中使用相同的字线来施加负电压和高电压的电压开关电路