接触结构以及采用所述接触结构的半导体存储元件

摘要

本发明公开了一种半导体存储元件，包含有一基材，其上包含一存储阵列区域以及一外围电路区域；一第一介电层，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；一第二介电层，位于所述第一介电层上，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；至少一电容结构，位于所述存储阵列区域内，且所述电容结构包含一电极材料层，埋设在所述第二介电层中；以及一接触结构，包含所述电极材料层。