首页> 中国专利> 一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法

一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法,所述结构包括第一芯片、第二芯片和再布线层,第一芯片和第二芯片设置在再布线层上,其中第一芯片和第二芯片距离再布线层具有第一距离;还包括第一限高块和第二限高块,第一限高块和第二限高块设置在再布线层上,其中第一限高块和第二限高块距离再布线层具有第二距离;其中,第一限高块和第二限高块之间分别布置第一芯片和第二芯片;再布线层、第一限高块、第二限高块、第一芯片、第二芯片构成了第一空间,且第一空间内填充树脂;其中,第二距离等于第一距离。本发明通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具,具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。

著录项

  • 公开/公告号CN104064557B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410293014.7

  • 发明设计人 于中尧;

    申请日2014-06-25

  • 分类号H01L25/065(20060101);H01L23/31(20060101);H01L21/98(20060101);

  • 代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人刘杰

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-21

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 25/065 登记生效日:20190430 变更前: 变更后: 变更前:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-03-29

    授权

    授权

  • 2017-03-29

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/065 申请日:20140625

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20140625

    实质审查的生效

  • 2014-09-24

    公开

    公开

  • 2014-09-24

    公开

    公开

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