首页> 中国专利> 用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法

用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法

页面导航

摘要

本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。

1. 用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法 [P] . 中国专利： CN1025137C . 1994.06.22
2. 含有组分渐变高阻缓冲层的双异质结HEMT及其制作方法 [P] . 中国专利： CN109638066A . 2019-04-16
3. METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC COMPONENT HAVING A HETEROJUNCTION EQUIPPED WITH A BURIED BARRIER LAYER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3467867A1 . 2019-04-10

机译：具有埋有势垒层的异质结的电子元件的制造方法
4. HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, ALGAAS EPITAXIAL GROWTH LAYER AND CRYSTAL GROWTH METHOD [P] . 日本专利： JPH0864614A . 1996-03-08

机译：异质结双极晶体管，藻类表皮生长层和晶体生长方法
5. Heterostructure semiconductor laser fabrication method with epitaxy on mesa patterned substrate - using epitaxial MOCVD growth of current stop gallium arsenide layer on sides of mesa stripe, with tri:methyl gallium as source gas [P] . 法国专利： FR2693047A1 . 1993-12-31

机译：在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体，在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长