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徐征;
原子层外延 异质结 MOCVD 有源区 量子阱 光致发光 薄膜层 线宽 均匀性 反应室;
机译:原子层外延生长碳掺杂集电极和发射极的AlGaAs / GaAs pnp异质结双极晶体管
机译:具有碳掺杂基极的原子层外延生长的异质结双极晶体管
机译:氢化物气相外延氢化液相外延的外延横向过度生长的Gaxin1 XP朝向相干的Gaxin1?XP / Si异质结
机译:通过分子束外延生长基于III族氮化物的结和器件的异质和同质外延生长。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:SI-V在SI平台上使用III-V的外延生长技术的开发膜光子器件对SI的异质整合
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。
机译:通过外延生长技术制造的半导体异质结器件
机译:异质外延晶体生长方法,异质外延晶体生长装置,异质外延晶体生长装置和半导体器件
机译:限制具有异质结的光电器件中的外延生长的方法以及这种光电器件
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