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机译:原子层外延生长碳掺杂集电极和发射极的AlGaAs / GaAs pnp异质结双极晶体管
Texas Instrum. Inc., Central Res. Labs., Dallas, TX, USA;
III-V semiconductors; aluminium compounds; atomic layer epitaxial growth; carbon; gallium arsenide; semiconductor doping; ALE; AlGaAs-GaAs:PC; HBT; I/V characteristics; atomic layer epitaxy; common emitter current gain; pnp structure; pnp transistors; semiconductors;
机译:金属有机化学气相沉积和分子束外延生长碳掺杂基层的InP / InGaAs异质结双极晶体管的特性
机译:高/ f / sub max /集电极向上的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管,具有通过氧离子注入制造的重掺杂碳的基极
机译:通过氧离子注入制造的具有高碳掺杂基极的高f / sub max /集电极向上AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管
机译:用于微波应用的MOMBE生长的碳掺杂基极自对准AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:AlGaAs / GaAs异质结优化GaAs纳米线pin结阵列太阳能电池
机译:通过分子束外延在(100)Si上生长的GaAs / AlGaAs异质结Pnp双极晶体管
机译:分子束外延的alGaas / InGaas / Gaas应变层异质结双极晶体管