一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅

摘要

本公开实施例提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和一种后栅工艺假栅，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层，对所述硬掩膜层进行微缩，使微缩后的硬掩膜层宽度小于等于22nm；以所述微缩后的硬掩膜层为标准，对所述顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述硬掩膜层和顶层非晶硅。采用本公开所提供的技术方案，能精确控制栅极的关键尺寸，栅极的剖面形貌，并能有效改善栅极线条的粗糙度，保证了器件的性能及稳定性。