自对准浅槽隔离的形成方法

摘要

本发明提供了一种自对准浅槽隔离的形成方法，所述自对准浅槽隔离的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极层；对所述栅极层进行选择性刻蚀，以形成通槽和栅极；对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成浅槽；在所述通槽和所述浅槽内填充隔离材料；去除部分所述通槽内的所述隔离材料；在所述栅极和所述隔离材料上制备第一牺牲层；在所述第一牺牲层上制备第二牺牲层；对所述第一牺牲层和第二牺牲层进行回刻；以及去除剩余的所述第二牺牲层，形成第一牺牲层凹陷。在本发明提供的自对准浅槽隔离的形成方法，能够增加浅槽边缘与控制栅之间的距离控制的可靠性。