在浅槽中形成深槽以隔离半导体器件的自对准方法

摘要

在集成电路，特别是在用于射频应用的集成电路的制作过程中，一种用于隔离以上电路所含的半导体器件的浅槽和深槽的方法，该方法包括提供半导体衬底(10)；在衬底上任意形成第一绝缘层(14)；用第一掩模(16)形成至少一个浅槽(18)，浅槽扩展到衬底里；在形成至少一个浅槽的步骤之后，在所得到的结构上，形成预定厚度(2x)的第二绝缘层(20)；在第二绝缘层上，用第二掩模(22)形成至少一个开口(33)，第二掩模边缘(30)对准浅槽边缘(26)，浅槽的最大不对准度(+/-x)为预定厚度(2x)的一半，开口随着浅槽扩展到底部(18a)，由此，宽度等于预定厚度(2x)的隔离物(32)在浅槽中沿着其边缘形成；用第二绝缘层作为硬掩模，在开口中形成深槽(34)，深槽进一步扩展到衬底里，并与浅槽自对准。