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公开/公告号CN104393009B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201410677096.5
发明设计人 秦飞;武伟;安彤;肖智轶;
申请日2014-11-23
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 09:51:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-01
授权
2015-04-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20141123
实质审查的生效
2015-03-04
公开
机译: 具有通孔硅通孔(TSA)的半导体芯片(包括硅通孔)和多芯片封装,包括相同的芯片
机译: 带硅通孔的半导体芯片,以及包含相同封装的半导体封装
机译: 使用硅通孔的芯片堆叠半导体封装,可通过减少硅通孔的形成空间来提高芯片空间的使用率
机译:锌和锡-锌通孔填充,用于在系统级封装中形成硅通孔
机译:使用硅通孔的3D硅集成和硅封装技术
机译:通过硅通孔(TSV)在3D芯片封装中的信号传播中的硅通孔(TSV)慢波和介电准系子模式通过硅通孔(TSV)。
机译:用于三维封装的通过硅通孔的铜的替代处理方法。
机译:基于硅通孔的电容式MEMS传感器3D封装技术研究
机译:硅封装中的硅通孔集成技术
机译:使用金属填充通孔改善LTCC RF和无线多芯片封装中的隔离