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高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法

摘要

本发明提供一种高深宽比沟槽刻蚀残留缺陷的检测方法,在采用电子束缺陷扫描仪对待检测片进行缺陷检测之前,先在待检测片表面加载负电荷,以在沟槽中的残留缺陷区域形成局部电场。进行缺陷检测时,由于所述局部电场的存在,在高深宽比沟槽中的残留缺陷处产生的二次电子能受所述局部电场的作用而溢出待检测片的表面,避免了法拉第杯效应的影响,使得缺陷检测的效率和准确度大大提高。

著录项

  • 公开/公告号CN104217974B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201410443792.X

  • 申请日2014-09-02

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王宏婧

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    授权

    授权

  • 2015-01-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20140902

    实质审查的生效

  • 2014-12-17

    公开

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