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公开/公告号CN104217974B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201410443792.X
发明设计人 范荣伟;龙吟;陈宏璘;倪棋梁;顾晓芳;
申请日2014-09-02
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王宏婧
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 09:49:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-04
授权
2015-01-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20140902
实质审查的生效
2014-12-17
公开
机译: 在半导体器件中刻蚀高深宽比沟槽的方式
机译: 刻蚀工艺包括刻蚀穿过一个或多个二氧化硅绝缘层的接触孔,从而保留残留层,然后刻蚀沟槽结构。
机译: 金属辅助化学刻蚀,可制造高深宽比的直硅纳米柱阵列,用于分选应用
机译:具有超高深宽比的亚微米沟槽的深反应离子刻蚀
机译:通过Al(100)的各向异性阳极刻蚀制造具有高深宽比的有序沟槽结构
机译:通过深硅沟槽刻蚀条件实现高深宽比
机译:3D NAND闪存高深宽比沟槽刻蚀过程中减少弓形的研究
机译:高深宽比硬质X射线防区板的制备和表征与超纳米晶金刚石模具。
机译:改变高深宽比结构的表面形态的不同方法
机译:高深宽比深亚微米刻蚀轮廓控制-硅栅刻蚀
机译:由反应离子蚀刻定义的低于100nm宽的深沟槽