刻蚀高深宽比沟槽的工艺方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀高深宽比沟槽的工艺方法，在对半导体衬底通入刻蚀气体进行刻蚀形成深沟槽时，通入氟基或氯基气体的聚合物产生气体，随着刻蚀的不断进行，将刻蚀气体的流量逐渐增加，或者是逐渐减低产生聚合物的气体流量来减少聚合物的生成；或者是两者同时进行；通过对刻蚀气体和/或聚合物产生气体的速率的渐变控制，控制形成不同的沟槽形貌。