公开/公告号CN103779199B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210415064.9
申请日2012-10-26
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:48:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-19
授权
授权
2014-06-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20121026
实质审查的生效
2014-05-07
公开
公开
机译: 镶嵌栅极工艺,用于制造具有最小多晶硅栅极损耗,硅化的源极和漏极结以及低薄层电阻栅极多晶硅的MOSFET器件
机译: 在用于制造MOST的半导体衬底上形成栅极,在衬底上形成栅极氧化物层,然后是多晶硅层,硅化钨层和氮化物阻挡层的工艺
机译: 通过从难熔金属硅化物扩散到多晶硅中而掺杂了具有栅极结构的半导体器件的制造工艺