用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法

摘要

本发明涉及用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法，包括：衬底，其上氧化形成二氧化硅绝缘层；在绝缘层上制备出一个垂直结构的碳纳米管晶体管，和设置一根半导体性的单壁碳纳米管，在其两侧制备出源极和漏极并与碳纳米管发生欧姆接触；在这根碳纳米管的上方制备出一个很薄的栅极绝缘层，其上设置这个碳纳米管晶体管的栅极；栅极一侧的栅极绝缘层上设置一条存储器的金属字线，金属字线和栅极通过一根金属性碳纳米管连接在一起，此碳纳米管上制备出至少两个隧穿结。该方法制备出的量子点可以在室温下出现库仑阻塞现象，因此器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管晶体管的漏极电流可以实现存储器数据的读出。