两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法

摘要

本发明涉及两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法，包括：以p型或n型硅作为衬底，其上氧化形成一个二氧化硅绝缘层；在绝缘层上制备出一个两端垂直结构的碳纳米管晶体管，包括在二氧化硅绝缘层上设置一根半导体性的单壁碳纳米管，在其两侧制备出源极和漏极并与碳纳米管发生欧姆接触；在这根碳纳米管的上方制备出一个很薄的栅极绝缘层，其上设置这个碳纳米管晶体管的栅极；在栅极氧化层的上方，碳纳米管晶体管的栅极和漏极通过一根金属性的碳纳米管连接在一起，此碳纳米管上至少存在两个隧穿结。该方法制备出的量子点可以在室温下出现库仑阻塞现象，因此器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管晶体管的漏极电流可以实现存储器数据的读出，同时器件具有两端，易与集成。