具有垂直功率MOS晶体管的集成电路

摘要

本发明公开了具有垂直功率MOS晶体管的集成电路，其中，该集成电路包括形成在相同半导体管芯中的多个横向器件和准垂直器件。准垂直器件包括两个沟槽。在第一漏极/源极区和第二漏极/源极区之间形成第一沟槽。第一沟槽包括形成在第一沟槽的底部中的介电层和形成在第一沟槽的上部中的栅极区。第一沟槽和第二沟槽形成在第二漏极/源极区的相对侧上。第二沟槽耦合在第二漏极/源极区和隐埋层之间，其中，第二沟槽具有与第一沟槽相同的深度。