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减少化学机械研磨工艺缺陷的电路布局及其制造方法

摘要

一种减少化学机械研磨工艺缺陷的电路布局及其制造方法,适用于减少化学机械研磨的工艺缺陷,该半导体基板上包含多条第一电路结构与至少两条的第二电路结构,其中第二电路结构用以分别串接多条第一电路结构的前端与后端,以利于化学机械研磨工艺中平均多条第一电路结构的前端与后端的受力面积,减少研磨缺陷的发生。

著录项

  • 公开/公告号CN1228846C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN02103155.X

  • 申请日2002-01-31

  • 分类号H01L27/00;H01L21/82;

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-11-23

    授权

    授权

  • 2003-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-08-13

    公开

    公开

  • 2002-05-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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