公开/公告号CN100592960C
专利类型发明授权
公开/公告日2010-03-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200610116896.5
发明设计人 陈肖科;
申请日2006-10-08
分类号B24B1/00(20060101);H01L21/304(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人顾继光
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:04:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-28
专利权的转移 IPC(主分类):B24B 1/00 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2010-03-03
授权
授权
2008-06-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-04-09
公开
公开
机译: 当在晶片上抛光金属层时,特别是在化学机械抛光铜层时,使用化学机械抛光组合物可提高抛光速率和平整度,并使用相同的抛光方法
机译: 在化学机械抛光中使用的用于防止铜层腐蚀的半导体装置的制造方法及其所使用的化学机械抛光系统
机译: 用于减少半导体晶片腐蚀的化学机械平面化组合物