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【24h】

CMOS論理セルレイアウトの網羅的生成による製造時の配線欠陥最小化手法

机译:通过全面生成CMOS逻辑单元布局来制造缺陷最小化的方法

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摘要

本稿では,最小幅のCMOS論理セルレイアウトを網羅的に生成することにより,製造時に配線に欠陥が発生する確率の最も小さいレイアウトを得る手法を提案する.本手法では,製造時に発生するスポット状の欠陥(Spot Defect)により二つのセル内配線が短絡する確率を,その欠陥の大きさの分布と,欠陥がそこに発生することにより短絡を引き起こす領域(Critical Area)の終端や角での効果を考慮に入れ,それをコスト関数として用いる.これを用いることにより,網羅的に生成した最小幅のセルレイアウトから配線の短絡が最も起きにくいレイアウトを選びだすことが可能となる.レイアウト生成においては,充足可能性判定を用いた手法[1]を利用して可能な幅最小のトランジスタ配置を全て生成し,それら全てに対してセル内配線に特化した網羅的配線手法を適用することにより可能なセルレイアウトパターンを全て生成する.本手法をトランジスタ数14までのCMOS論理回路に適用することにより,配線長最小の解を選びだした場合と比較して配線の短絡の発生確率を約15%削減できることを示した.
机译:在本文中,我们提出了一种通过综合生成最小宽度的CMOS逻辑单元布局来获得制造过程中布线缺陷可能性最小的布局的方法。在该方法中,由于缺陷的尺寸分布和由于缺陷的发生而引起短路的区域(Spot Defect),确定了在制造过程中由于发生的斑点状缺陷(Spot Defect)而导致两条电池内布线短路的可能性。考虑到“关键区域”的末端和拐角处的效果,请将其用作成本函数。通过使用该方法,可以从综合产生的最小宽度单元布局中选择最不可能引起布线短路的布局。在布局生成中,使用了充分判断[1]的方法来生成具有最小宽度的所有可能的晶体管布置,并且将专用于单元内布线的综合布线方法应用于所有这些。这样做会生成所有可能的单元布局模式。结果表明,与选择具有最小布线长度的解决方案的情况相比,通过将此方法应用于具有多达14个晶体管的CMOS逻辑电路,可以将布线中发生短路的可能性降低约15%。

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