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一种多晶氮化镓生长装置

摘要

本实用新型涉及半导体材料技术领域,且公开了一种多晶氮化镓生长装置,包括进气管以及与进气管连通的喷粉管,所述进气管的进气端固定连通有筒体,所述筒体向下形成开口;所述筒体的内部固定安装有承接斗,所述承接斗的内部镶嵌有电热丝,所述承接斗固定连通有存放管,所述存放管的内部转动套接有成型件;所述成型件连接有驱动封堵机构;所述筒体通过连通管与进气管连通,所述连通管上安装有第一单向阀,所述进气管上安装有第二单向阀,所述筒体的内部固定安装有加热丝。本实用新型提出一种多晶氮化镓生长装置,本实用新型通过对氮化镓气体进行循环利用;通过驱动封堵机构,对成型件进行驱动,提高氮化镓成型的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN215481421U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华厦半导体(深圳)有限公司;

    申请/专利号CN202122281342.3

  • 发明设计人 谈逊;谈谦;曾龙辉;谈宇清;

    申请日2021-09-18

  • 分类号C30B28/14(20060101);C30B29/40(20060101);

  • 代理机构34227 合肥市都耒知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人邱丹

  • 地址 518000 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社区龙岗大道(坪地段)1001号通产丽星科技产业园厂房七402

  • 入库时间 2022-08-23 03:48:46

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