公开/公告号CN215481421U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 华厦半导体(深圳)有限公司;
申请/专利号CN202122281342.3
申请日2021-09-18
分类号C30B28/14(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构34227 合肥市都耒知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人邱丹
地址 518000 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社区龙岗大道(坪地段)1001号通产丽星科技产业园厂房七402
入库时间 2022-08-23 03:48:46
机译: 可控制氮化镓多晶层(中间层)生产的氮化镓纳米线垂直生长方法
机译: 用于显示器的非晶/多晶氮化镓基化合物半导体的生长涉及在衬底上以不同参数气相生长两组非晶和/或多晶化合物半导体层。
机译: 一种使用氮化铝/氮化镓超晶格生长半极性氮化镓外延层的方法