具有低导通电阻的超结MOSFET

摘要

本实用新型涉及一种具有低导通电阻的超结MOSFET，在N型衬底的正面设置N型外延层，在N型外延层的正面向下开设有沟槽，在沟槽内填充P型柱，在P型柱的上端设置P型体区，在P型体区内设置N型源区，在N型外延层的正面设置屏蔽栅氧化层，在屏蔽栅氧化层的正面设置屏蔽栅多晶硅，在屏蔽栅多晶硅的正面设置绝缘介质层，在绝缘介质层的正面设置发射极金属，发射极金属通过接触柱与P型体区以及N型源区欧姆接触。本实用新型通过缩短推进时间来实现更短的P型体区的宽度，从而得到更低的沟道电阻，进而实现了更低的导通电阻，使得MOSFET性能更加优异。