机译:具有低导通电阻100V超结沟沟功率MOSFET的设计
机译:低导通电阻的非均匀100V超结沟槽功率MOSFET的设计
机译:低导通电阻的100V超级结型沟道功率MOSFET的设计
机译:非均匀100V超结沟槽功率MOSFET的边缘端接设计
机译:100V两级氧化物级场板沟道MOSFET,可实现最佳RESURF效果和超低导通电阻
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发