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工业控制设备; 电源效率; 电阻; 功率;
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:Stripfet IIII技术MOSFET导通电阻开关损耗减少技术 - 引入低电阻,低QG特性平面MOSFET,具有沟槽门MOSFET的损失
机译:具有低导通电阻和开关损耗的改进型4H-SiC沟道栅MOSFET
机译:新型30 V p沟道沟槽栅极功率MOSFET,在低栅极电压下具有超低的导通态电阻
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有低输出阻抗的可调谐一阶无电阻全通滤波器
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发
机译:具有DELTA层的低导通电阻沟道型MOSFET
机译:具有低导通电阻的P沟道MOSFET半导体器件
机译:通过mosfet低电阻导通和相关控制电路实现的旁路二极管或切换至源dc,并具有在发生火警或其他危险时禁用dc源的自我维持的装置
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