焊料凸块UBM结构

摘要

本发明涉及焊料凸块UBM结构。公开了一种包括形成在芯片接合垫上的多个金属或金属合金层的凸块下金属化结构。因为基于铜的层的厚度被降低到大约0.3微米和10微米之间，优选在大约0.3微米和2微米之间，因此所公开的UBM结构具有对半导体器件上的应力改善。纯锡层的存在防止了基于镍的层的氧化和污染。也为随后的工艺形成了良好的可焊接表面。还公开了具有所公开的UBM结构的半导体器件及制造该半导体器件的方法。