一种SiC异质结晶体管外延结构及器件

摘要

本实用新型公开了一种SiC异质结晶体管外延结构及器件，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、N型3C‑SiC外延层；该结构中3C‑SiC与4H‑SiC形成的异质结具有可忽略的热匹配和晶格匹配，3C‑SiC和4H‑SiC在<0001>面的晶格失配小于0.1％，具有更好的界面结构，其器件具有更好的稳定性和可靠性。