垂直功率MOSFET半导体器件

摘要

本实用新型公开一种垂直功率MOSFET半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区；一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层；相邻所述MOS器件单胞之间的中掺杂P型基极区内具有一N掺杂深阱部。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。