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【24h】

パワーMOSFET、IGBTの低損失化および高周波化について、パッケージ面も含めて解説する:パワー半導体デバイスの技術動向

机译:解释功率MOSFET和IGBT的损耗和高频降低,包括封装方面:功率半导体器件的技术趋势

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摘要

近年、エレクトロニクスは目覚しい発展をとげ、自動車に次いで社会を背負う産業へと成長してきた。 これまで、電子装置は多機能化、高精度化そして軽薄短小化をコンセプトとして製品化されてきた。 しかし、それらのコンセプトに多くの人々が疑問をもち始めている。 図1に電子装置の特徴を表すキーワードを示す。 関連するキーワードの結びつきの強さを実線、点線で、各キーワードを実現する手法と共に示す。 接続されていないキーワードは相反することを意味する。 電子装置が機能するためには十分な電力供給が前提条件になるが、原子力、水力、火力、風力、地熱など電力供給源のいずれもが地球温曖化の原因になる。
机译:近年来,电子技术取得了长足的进步,已发展成为一个仅次于汽车的社会。迄今为止,电子设备已经以多功能,高精度,轻便,薄型和小型化的概念商业化。但是,许多人开始质疑这些概念。图1显示了代表电子设备特征的关键字。实线和虚线表示相关关键字的连接强度以及实现每个关键字的方法。未连接的关键字意味着冲突。充足的电源是电子设备功能的先决条件,但是所有电源(例如核能,液压能,火力,风能和地热能)都会造成全球温度歧义。

著录项

  • 来源
    《電子技術》 |2002年第5期|共5页
  • 作者

    山崎浩;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 电子电路;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-19 11:31:03

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