CMOS上的PMUT的单片集成器件

摘要

本实用新型公开了一种CMOS上的PMUT的单片集成器件，其包括作为该器件的基部的基板层(101)；介电隔层(102)，设置于基板层(101)的顶部，并位于保护层(103)的下方；电子线路，形成在介质电隔层(102)内，并由基板层(101)支撑，电子线路包括由一个或多个间隔开的金属(204)形成的多个金属层；以及至少一个微机械超声波换能器。每个微机械超声波换能器包括底部电极(301)，其设置在保护层(103)的顶部并连接到电子线路；压电体(302)设置在底部电极(301)的顶部；顶部电极(303)设置在压电体的顶部；弹性层(304)位于顶部电极(303)的顶部。在底部电极(301)下方形成有空腔(306)，其从保护层(103)延伸到介电隔层(102)的一部分。