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公开/公告号CN105990391A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-05
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN201610159010.9
发明设计人 蔡劲;E·里欧班端;李宁;宁德雄;J-O·普卢查特;D·K·萨达纳;
申请日2016-03-18
分类号H01L27/15(20060101);H01L33/44(20100101);H01L21/77(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人酆迅
地址 美国纽约阿芒克
入库时间 2023-06-19 00:39:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-26
授权
2016-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/15 申请日:20160318
实质审查的生效
2016-10-05
公开
机译: 具有横向双极和BiCMOS的单片集成光子学
机译: 具有双侧双极和BiCMOS的单相集成光子
机译:具有光电二极管的单片集成光子晶体器件
机译:光子BiCMOS中具有分段驱动器的单片集成高消光比MZM
机译:具有16 GHz f / sub t /双多晶硅双极型器件的亚微米BiCMOS的工艺集成和器件性能
机译:SiGe BiCMOS中光子器件的单片集成
机译:介电隔离的横向MOS双极功率器件。
机译:磁光薄膜用于单片集成不可逆光子器件
机译:测量横向双极扩散长度对stranski-Krastanov量子点器件中载流子注入水平的依赖性
机译:双极/ BiCmOs器件的硬度保证和测试问题