公开/公告号CN209119111U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201820816541.5
申请日2018-05-28
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 226017 江苏省南通市苏通科技产业园井冈山路6号
入库时间 2022-08-22 09:53:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-16
授权
授权
机译: 制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译: 垂直GaN基半导体器件的制造方法和垂直GaN基半导体器件的制造方法
机译: 垂直GaN基半导体器件的制造方法和垂直GaN基半导体器件的制造方法