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公开/公告号CN208836100U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 华旭东;
申请/专利号CN201821618296.3
发明设计人 华旭东;
申请日2018-10-04
分类号
代理机构
代理人
地址 213300 江苏省常州市溧阳市东华园2区7幢
入库时间 2022-08-22 09:05:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-07
授权
机译: 带有源极或漏极对向型门极连接区域的绝缘门极场效应晶体管
机译: 绝缘门双极晶体管装置中,第一个绝缘门场效应晶体管与串联的第二场效应晶体管串联,第二场效应晶体管与改进的漏极接触
机译:在绝缘体上绝缘子上制造具有不对称金属源极/漏极的Ge场效应晶体管:肖特基隧穿源极模式操作和常规模式操作
机译:具有Ni-InGaAs金属源极/漏极的Si衬底上的高性能极薄绝缘体上InGaAs绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:低温分子束外延制造的超薄绝缘体上的Ge绝缘体金属源极/漏极P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:超低功率隧穿场效应晶体管功率管理单元的评估
机译:MIMO-OFDM ad hoc网络中一种基于博弈论的功率管理方法。
机译:全石墨烯平面自转换MISFED金属-绝缘体-半导体场效应二极管
机译:In0.53Ga0.47As场效应晶体管中金属-绝缘体-半导体接触结构的超低源极/漏极电阻的实验演示
机译:高功率管的绝缘研究