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机译:带有源极或漏极对向型门极连接区域的绝缘门极场效应晶体管
公开/公告号US3624468A
专利类型
公开/公告日1971-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人 U.S. PHILIPS CORP.;
申请/专利号USD3624468
发明设计人 FREDERIK LEONARD SANGSTER;RIJKENT JAN NIENHUIS;
申请日1969-04-23
分类号H01L19/00;
国家 US
入库时间 2022-08-23 08:03:03
机译: 带有源极或漏极对向型门极连接区域的绝缘门极场效应晶体管
机译: 平面场效应晶体管P型金属氧化物半导体场效应晶体管,例如芯片平面,栅区弯曲/断裂在有源区中进行,漏极和源极区的大小可变
机译: 使用绝缘栅场效应晶体管的电子开关电路,该绝缘栅场效应晶体管的栅极和源极或漏极之间连接有整流器