公开/公告号CN208028062U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州闻颂智能科技有限公司;
申请/专利号CN201820559173.0
申请日2018-04-19
分类号H01L27/085(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/8252(20060101);
代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人孙仿卫;李萍
地址 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园E幢204(苏州闻颂)
入库时间 2022-08-22 06:49:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-30
授权
授权
机译: 增强型和耗尽型AlGaN / GaN HFET的单片集成
机译: 增强型和耗尽型AlGaN / GaN HFET的单片集成
机译: HBT,耗尽型HEMT和增强型HEMT的单片集成的结构和方法