基于增强型GaN HEMT的半桥开关电路设计与测试

摘要

为了进一步提高现有功率变换系统的开关频率,采用增强型GaN HEMT器件设计出适用于高速开关控制的半桥开关电路.该半桥开关电路采用新型栅驱动电路,实现增强型GaN HEMT器件的高速控制,进而实现开关速度的提升.将该半桥开关电路用于一种48V转12V的高效DC/DC电源变换系统中,测试结果表明该半桥开关电路的开关频率超过600KHz,半桥驱动电流为10A,验证了所提出驱动方法的有效性.