机译:用于高温应用的半桥封装中的GaN HFET的开关特性
GaN; heterojunction field effect transistors (HFETs); high temperature; switching;
机译:具有p-GaN埋入缓冲层的高击穿电压GaN垂直HFET的设计,用于电源开关应用
机译:具有低导通电阻,高击穿电压和快速开关的AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:具有低导通电阻,高击穿电压和快速开关的AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:使用GaN HFET的分立和半桥模块,适用于200掳C以上的高温应用
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型
机译:用于增强型GaN FET的新型半桥栅极驱动器,Lm5113型,宽温度范围